本文针对传统仪用放大电路的特点，介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路，引入共模负反馈，大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lingfei
运算放大器共模失调测试仿真程序,以op1177ar系列为例。可以测试出共模抑制比
上传时间： 2014-01-06
上传用户：sunjet
并联有源共模电流抑制方法的matlab仿真，建立仿真模型，分析补偿特性
上传时间： 2015-09-14
上传用户：清风冷雨
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
上传时间： 2013-10-08
上传用户：642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
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上传时间： 2015-02-22
上传用户：ommshaggar
b to b 模式 电子商务系统 ，c# 开发 , B/S结构
上传时间： 2014-01-20
上传用户：hanli8870
把I、Q 两路信号分别作FFT ,找出频域内信号的幅度,即可算得两路分量的幅度一 ％致性 把I、Q两路信号合成一个复数信号,作FFT ,对得到的频谱求镜像抑制比。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：13188549192
